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4H-SiC n-MOSFET 的高温特性分析 - 物理学报
通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H+SiC n+MOSFET 高温下的电学特性,模拟结果与. 实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对 ...
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