有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)特性敘述,下列何者正確? (A)N 通道增強型之閘源極電壓(VGS)需大於臨界電壓(VT)才能導通電流 (B)閘源極電壓(VGS)為零時,增強型比起 ...
確定! 回上一頁