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SiC MOSFET特性分析及应用_技术 - 半导体产业网
实验结果表明碳化硅MOSFET 开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC 缓冲电路能有效抑制开关产生的 ...
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