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采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效 ...

经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于. ... 三星4Q拼晶圆级先进封装台厂成熟度领先2~3年​; 深度解析车规级芯片封装技术​; 英飞凌顶部散热 ...

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