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MOSFET:結構,工作原理,詳細信息,概述,電路符號 ... - 中文百科全書

考慮一個P型的半導體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端（如圖）時，空穴的濃度會減少，電子的濃度會增加。當VGB夠強時，接近柵極端的 ...

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