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mosfet原理
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MOSFET:結構,工作原理,詳細信息,概述,電路符號 ... - 中文百科全書
考慮一個P型的半導體(空穴濃度為NA)形成的MOS電容,當一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端(如圖)時,空穴的濃度會減少,電子的濃度會增加。當VGB夠強時,接近柵極端的 ...
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