你即將離開本站

並前往https://slidesplayer.com/slide/11778883/

理想金氧半(MOS)二極體的能帶圖: 聚積狀態空乏狀態.

4 SiO2-Si MOS 二極體電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異：a.金屬電極與半導體之功函數差q ms不為零；b.氧化層中或介面處有電荷存在。

確定！ 回上一頁

查詢 「mosfet二極體差異」的人也找了：

  1. mosfet寄生二極體
    2.
  2. 二極體 VF
    3.
  3. mosfet二極體概念股
    4.
  4. igbt mosfet差異
    5.
  5. 二極體 選擇
    6.
  6. mosfet並聯二極體
    7.
  7. 二極體種類 及 規格
    8.
  8. mosfet body diode作用
    9.