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超低溫微波退火應用於超淺接面與P-MOS元件

圖6為P-MOS元件在Vds偏壓（-0.05Ⅴ）的傳遞特性。由此圖可知，當柵極電壓改變時，倒置層通道的大小也將改變，因此該測定方法可用來觀察開關元件的操作 ...

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