你即將離開本站

並前往https://www.renesas.com/document/apn/909516?language=zh

功率MOS FET 应用说明

作为低电压驱动的方法，一般通过栅极氧化膜的薄化（栅极/源极耐压VGSS. 的额定值变低）来降. 低VGS(off) 。 VGS(off)具有大约–5mV/°C左右的负温度系数（ ...

確定！ 回上一頁

查詢 「mos vth測定方法」的人也找了：

  1. mos vth公式
    2.
  2. vth定義
    3.
  3. vth計算
    4.
  4. MOSFET Vth
    5.
  5. mosfet vds計算
    6.
  6. mosfet漏電流原因
    7.
  7. vth溫度係數
    8.
  8. mos電流公式
    9.