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mos飽和區條件
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Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件 - SlidePlayer
產生原因: 主要是因為MOS操作時所產生的電子電洞被氧化層內的雜質或未飽和鍵所 ... 56 飽和區(續) 當汲極電壓大於VDS(sat)反轉電荷為零的點往源極移動,此時電子 ...
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