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mos飽和區條件
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虛擬基板錯含量對應變矽元件電性影響之研究- 林忠雄、康定國
MOSFET 是利用電場效應來控制通道電阻的元件,因其含有高输入阻抗、低輸入電流、低 ... 能會在源極和汲極之間產生靜電作用,在汲極電壓由線性區增至飽和區時, ...
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