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mos飽和區條件
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CH08 場效電晶體
在飽和區時,電流ID的值受到電壓VGS影響很大,符合電壓控制的特性。 ... 內無法產生電流ID。此時VGS的電壓即為截止電壓,因此,空乏型MOSFET操作於截止區的條件為 。
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