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利用化學氣相沉積實現應變鍺錫n-型電晶體之高載子遷移率

High Electron Mobility in Strained GeSn n-MOSFETs by Chemical Vapor Deposition ... 化學氣相沉積 ； 鍺錫磊晶 ； 電子遷移率 ； 蕭特基能障 ； 接面電阻 ； 金氧 ...

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