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使用片外无源器件尽可能提高GaN性能并降低成本 - 微波杂志

与硅技术相比，GaN半导体降低了材料电容，提高了电子迁移率，从而使传导损耗明显降低，开关时间大大加快，频率-温度和频率-电压特性更高。

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