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VCSEL 技術原理與應用 - 第 162 頁 - Google 圖書結果

採用分子束磊晶法再成長通常會將乾式蝕刻(dry etching)機台與超高真空的MBE 磊晶腔體串聯起來[4],這樣就可以避免在蝕刻製程後砷化鋁鎵材料暴露在空氣中, ...

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