圖3.35 反射式高能電子繞射儀對MBE磊晶成長表面的監測圖形 MBE製程壓力:在超高真空(內壓<10-10 torr)腔體環境內加蒸鍍源(控溫需精準掌握與計算)蒸鍍其分子或原子, ...
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