... 所以此計畫使用MBE 系統。而且利用摻雜銦、鎵、鋁等元素,來提高ZnO 與MgZnO 薄膜載子的移動率。 (2) ZnO 場效電晶體(FET)的製作:由於ZnO-based FET 製程條件已經 ...
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