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整合MBE與MOCVD磊晶技術於三族氮化物高頻功率電晶體磊晶 ...

提供各個子計畫GaN-HEMT 元件量測分析、製程開發、模擬、參數萃取及電路設計。並與子計畫(三)、（四）合作建立高頻等效電路模型，以供將來MMIC 高頻電路設計之用。

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