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cvd製程原理

製程基本上同P-SiN，進料換成SiH4+N2O，其與傳統薄膜比較如下： 表五、Thermal CVD 與PECVD 鍍SiO2 膜性質比較2.反應性濺鍍(Reactive Sputtering)濺鍍系統的原理是利用 ...

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