你即將離開本站

並前往http://sdata.nongyekx.cn/pdgpath/pdgpath.dll?d=19a672251f7e766cd1aad5b50460c9c47f2d43a068276d0d22c619ac64ec11856b3e027295291fb2333a8ef7e579300acc2faaf498b971e7827fdc63cf0b006c8aaf8953d621aff4&n=%B5%E7%D7%D3%B2%C4%C1%CF

磊晶矽摻雜

低壓化學氣相沉積法(LPCVD)【前段】和電漿增強型化學氣相沉積法(PECVD)【後段】 ... 可精確控制劑量; 可在真空下操作，避免雜質等污染; 可控制植入深度; 比較低溫製程 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「lpcvd pecvd比較」的人也找了：

  1. cvd製程順序
    2.
  2. 半導體薄膜製程
    3.
  3. pecvd中文
    4.
  4. PVD CVD
    5.
  5. pecvd原理
    6.
  6. PECVD
    7.
  7. 熱氧化製程
    8.
  8. cvd公司
    9.