你即將離開本站

並前往https://www.zhihu.com/question/464714468

110nm制程中对曝完光的wafer用KLA机台Scan defect后 ... - 知乎

从原理出发不负责任的瞎猜一下。CD和scan defect机台都是SEM光源都是电子，光阻不导电当测量某个点过久或者放大倍数太大时会导致二次电子在样品表面聚集。

確定！ 回上一頁

查詢 「kla defect原理」的人也找了：

  1. kla機台介紹
    2.
  2. KLA defect inspection
    3.
  3. KLA dark field bright field
    4.
  4. kla量測
    5.
  5. surfscan原理
    6.
  6. KLA 2935
    7.
  7. kla量測機台
    8.
  8. kla意思
    9.