你即將離開本站

並前往https://patents.google.com/patent/CN1004853B/zh

CN1004853B - 结型场效应晶体管电阻式差动放大器

这样，差动连接的JFET晶体管工作在电阻区而不是漏电流一相对源电压特性曲线的饱和区。该JFET晶体管以电压控制电阻器的方式工作，而不是以栅一源电压（V GS）电阻电流源 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「jfet飽和區」的人也找了：

  1. mosfet飽和區
    2.
  2. jfet工作原理
    3.
  3. mosfet飽和區條件
    4.
  4. mosfet飽和區線性區
    5.
  5. 空乏型mosfet應用
    6.
  6. mosfet開關工作區
    7.
  7. nmos飽和區
    8.
  8. mosfet飽和區公式
    9.