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1某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vG..

1 某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vGS 關係如圖所示，|iD|是汲極電流之大小，則此FET 為： (A)增強型NMOS (B)增強型PMOS (C)空乏型NMOS

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