IGBT 絕緣柵雙極型電晶體╃₪✘│₪,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件╃₪✘│₪,兼有MOSFET的高輸入阻抗 ...
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