IGBT是 輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件,採用複合式構造,除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外,也是同時具備低飽和電壓(相當於功率MOSFET的低 ...
確定! 回上一頁