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乾蝕刻技術

氮化矽乾、溼式蝕刻的差異性. 溼式蝕刻：H3PO4(85%)@175℃ ... Inductively coupled plasma (ICP) reactive ion etch. 感應耦合電漿離子蝕刻機ICP ... RIE與ICP-RIE比較.

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