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采用可控湿法蚀刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽华林科纳

在电感耦合等离子体(ICP) RIE蚀刻过程中，将衬底温度从20℃提高 ... 这些差异可归因于许多设备设计变化，例如：可用的发电机功率范围、腔室尺寸和 ...

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