你即將離開本站

並前往https://nccur.lib.nccu.edu.tw/bitstream/140.119/34351/8/901008.pdf

第四章個案分析與結果-以蝕刻技術為例

四） 反應性離子蝕刻（Reactive Ion Etching, RIE）. 目前最為被廣泛使用的方法，便使是 ... 均勻度是晶片上不同位置的蝕刻率差異的一個指標，較佳的均勻度意.

確定！ 回上一頁

查詢 「icp rie差異」的人也找了：

  1. icp蝕刻原理
    2.
  2. ICP RIE
    3.
  3. rie蝕刻原理
    4.
  4. rie原理
    5.
  5. 乾蝕刻濕蝕刻比較
    6.
  6. 乾蝕刻原理
    7.
  7. RIE Etching
    8.
  8. RIE plasma
    9.