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奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度

半導體 場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（MOSFET），並且探討其臨界電壓與摻雜 ... 模擬結果與理想值之VT 與NA 的敏感度關係圖( gate oxide = 3 nm, VDD = 0.1 V ).

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