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在 fet原理產品中有1篇Facebook貼文，粉絲數超過2萬的網紅COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化，也在其Facebook貼文中提到， #電源設計 #氮化鎵GaN #無線充電 #AirFuel #WPC #Qi #場效電晶體FET 【高頻操作的 AirFuel 無線充電，需氮化鎵加持】 用傳統矽半導體製程所生產的高功率元器件非常成熟，供應商呈現寡佔的狀態。在中低頻率的應用上，以成本低、效能相對穩定為其特色。但在...
同時也有1部Youtube影片，追蹤數超過11萬的網紅feverSound.com影音產品評測，也在其Youtube影片中提到，http://www.feversound1.com/141125-esoteric/ 更正聲明：有熱心朋友指正I-05實為「MSW」的D類放大，MSW為Music Sound Works的縮寫，廠方表明這個功放的聲音自然活潑，而且耐用穩定，其運作原理仍然是使用平衡MOS-FET放大，以及採用模...
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fet原理 在 feverSound.com影音產品評測 Youtube 的最讚貼文
2014-11-25 17:25:18http://www.feversound1.com/141125-esoteric/
更正聲明：有熱心朋友指正I-05實為「MSW」的D類放大，MSW為Music Sound Works的縮寫，廠方表明這個功放的聲音自然活潑，而且耐用穩定，其運作原理仍然是使用平衡MOS-FET放大，以及採用模擬線性供電，因此我未有進一步查證就斷定它是 Class AB，特此更正及致歉![post-title]()
fet原理 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文
#電源設計 #氮化鎵GaN #無線充電 #AirFuel #WPC #Qi #場效電晶體FET
【高頻操作的 AirFuel 無線充電，需氮化鎵加持】
用傳統矽半導體製程所生產的高功率元器件非常成熟，供應商呈現寡佔的狀態。在中低頻率的應用上，以成本低、效能相對穩定為其特色。但在進階高速光通訊或高頻無線通訊時，此製程將遭遇滯礙；因此，在高頻但低功率的應用上 (如手機) 必需導入 III-V 族化合物半導體的製程。矽晶圓進入奈米製程後，雖可藉由提升元件密度與操作頻率讓操作電壓和功耗隨之變小，適用於生產高效能積體電路，卻很難提升高功率，因為高功率與高頻率基本上是互相抵觸的。
氮化鎵受惠於其優異的物理特性，沒有這種二擇一的兩難困境，可同時兼顧功率、頻率與效能，是高頻功率元件的首選。另同為 III-V 族元素、目前大量生產的砷化鎵 (GaAs) 在高功率上有的缺陷，GaN 正好可彌補其不足，例如：氮化鎵散熱效果佳、可在更高電壓與溫度工作，功率密度表現更優，主要缺憾是成本偏高。所幸，以「矽基」為晶圓底層的獨門製程技術可利用現有矽晶圓廠的設備生產，且能達成高良率和一致性，可望為 GaN 量產帶來新契機。
談到無線充電，WPC 的 Qi 標準由於成熟的工作原理及親民價格，是無線充電個人裝配的主流，但它有三大困難待克服：1. 收、發位置須精準擺放才能對接；2. 有效傳輸距離較短；3. 對金屬材質敏感，異物會發熱，因此目前對 >15W 的高功率充電應用需考慮甚多。Qi 在手機和消費電子等大量商品的無線充電確有優勢，但在一些基礎設施則不然。舉例來說，高檔餐廳不太會希望在高質感的餐桌上挖洞埋進 Qi 的充電裝置。
採用 EPC 氮化鎵元件開發的 AirFuel 充電產品，即使桌面厚度在 6 公分亦能正常工作。GaN＋AirFuel 面向的是特定利基市場，而「大量商品化」(commodity) 路線，與 Qi 標準並不會直接競爭，而能視作一種互補的技術。簡言之，無線充電市場將分道而行，Qi 的目標市場不需用到氮化鎵元件，但高頻操作的 AirFuel 就需氮化鎵加持。氮化鎵技術早在二十年前、就已用在相陣雷達的軍用產品，操作電壓高且成本昂貴。
若能將軍品成功轉向民用，並突破製程、物理與應用限制，使氮化鎵元件大量生產並達到一致性供貨，便可為高階適配器 (adapter)、光達 (LiDAR) 和無線充電等應用提供有力的半導體製造支援，降低成本；戴爾電腦 (Dell) 新推出內建無線充電的高檔筆記型電腦，已開啟高功率無線充電的應用。接收端、發射端皆採用氮化鎵元件，轉換效率可較傳統元器件提高 5～10%。若每台裝置都能提高 10% 的轉換效率，節省下來的電力將很可觀，對環保節能將有莫大貢獻。
延伸閱讀：
《EPC 攜手捷佳科技，開拓高檔電源管理／無線充電市場》
http://compotechasia.com/a/____/2017/0615/35750.html
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