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浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體 - Wikiwand

浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體（Floating-gate MOSFET，簡稱浮柵MOSFET或FGMOS）是一種場效應電晶體，其結構類似傳統的金屬氧化物場效應電晶體（MOSFET）。

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