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gate半導體
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https://www.usjpc.com/zh/tech-intro-c/process-c/gate-c
半导体晶元制造工序的前半部分) 3. 栅极氧化及闸形成 - USJC
半导体 晶元的制造过程». 这是决定晶体管性能的最重要的工序。 因为栅极氧化影响晶体管的性能及可靠性极大,所以需要在晶片表面形成分布均匀的高密度薄膜。
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