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雙成長引擎驅動的第三代半導體材料- 氮化鎵GaN（上）

根據意法半導體的資料，SiC與GaN有部分電壓等級和頻率是重疊的。SiC主要針對600V~3.3kV 適用於電動車市場高壓的應用；而GaN則可望在100V～600V的電力 ...

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