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我國寬能隙半導體氮化鎵於微波射頻領域投入分析 - 科技政策觀點

氮化鎵(GaN)作為寬能隙半導體材料，具有比砷化鎵(GaAs)與磷化銦(InP)等半導體材料更大的輸出功率；而在同樣為寬能隙材料的碳化矽相比或是以基於矽材料 ...

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