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GaN, SiC, 第三代半導體,寬能隙, Wide Band Gap - 克達科技 ...

SiC(Silicon Carbide 碳化矽SiC是由矽(Si)與碳(C)組成，擁有低損耗高功率的特性非常適合用於高電壓及高功率的應用場景，如電動車、充電樁、太陽能及風力發電等綠能設備。

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