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第一章緒論1-1:氮化鎵材料的簡介與發展: GaN 晶體的成長

因為是異質磊晶，所以基板與成長的材料在晶格常. 數、熱膨脹係數(thermal expansion coefficient)的不同而有很大的差異。由於. 晶格常數的差異，造成成長的GaN 的晶格錯位( ...

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