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浮柵金屬氧化物半導體場效應電晶體 - 維基百科

在浮柵（floating gate）上方以沉積方式構造多個次級柵極或輸入電極，與浮柵絕緣。這些輸入與浮柵僅有電容 ... 三項研究成果為當前FGMOS電路的大部分開發奠定了基礎：.

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