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三星GAA架構3奈米領先量產 - 巴西華人資訊網

三星指出，3奈米採用多橋通道場效電晶體（MBCFET）的GAA專利技術，突破鰭式場效電晶體（FinFET）架構性能限制，能以更高效能及更小晶片尺寸來實現更佳的功 ...

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