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新電子 06月號/2020 第411期 - 第 65 頁 - Google 圖書結果

在過去的十年中,極具成本效益的GaN功率FET和IC已商業化,其寄生電感明顯降低、且開關品質因數(FOM)優於等效Si MOSFET元件10倍以上。隨著eGaN FET和IC的問世, ...

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