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晶圓級的度量擴展了45 奈米的製程應用

較小的特徵節點已經縮減了CVD 製程的預算。從歷史觀. 點來看，熱過程CVD 熔爐的操作是以600–1000°C 的方. 式進行。有了額外的等離子增強(PECVD)，基板的溫度.

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