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具熱穩定性之HfO2 及ZrO2 系列閘極氧化膜之研發與界面鑑定

半導體 (Metal- Oxide-Semiconductor, MOS)結構扮演著非常重要的角色，2003 年版國際. 半導體技術藍圖(International ... Thickness, CET)來做為指標，其換算公式為：.

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