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控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體

同時，FET 輸入電阻極大，輸入電流趨近於0，所以實際應用分析比BJT 簡單很多。 ... 由半導體物理學證明，可得空乏型MOSFET 之夾止飽和區輸出電流公式與JFET 相同為：.

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