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DRAM(动态随机存储器)的原理及芯片实现 - 电子技术应用-博客

WL(X)：字节线(Word Line)，X地址寻址线（Row Address）；. BL(Y)：比特线（Bit Line),Y地址寻址线（Column Address)和数据出入输出线(Data In/Out);.

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