※ 引述《Shiva (Shiva)》之銘言：
抱歉 刪了一些文章
: 而SRAM的話，因為四個mos形成latch，是bistable
: 所以read時失去的電壓只要不超過VDD/2，就能自動補回來
: 因此SRAM的read是nondestructive
: 因此sense amplifer對SRAM而言只是加快速度和area improvement
: ^^^^^^^^^^^^^^^^
: 這是書上寫的，但我不明白為什麼
: 加了sense amplifier不是更增加chip area嗎？
: 請問我以上的認知是正確的嗎？
: 另外書上也寫到SRAM的Cq是parasitic capacitance
: 那麼Cq和Cb的比例是不是也和DRAM的Cs和Cb比例是差不多的呢？(書上沒提到)
: 謝謝

6T SRAM的讀與寫本身其實是一體的兩面

讀：

當SRAM在讀的時候 兩邊的BITLINE為VDD 兩端耳朵的NMOS(access mos)打開

本來為零的邏輯因為DC分壓效應 零準位會被稍稍抬昇

而外部的bitline也會因為透過分壓從VDD往下掉 透過SA被讀出來

耳朵的MOS太強 有可能造成 內部DC分壓太高 而轉態

故這個時候考量的通常是latch的nmos與耳朵的nmos比例

因為不希望內部的零被抬昇太多 因此你的latch的NMOS都盡量做的比耳朵大

一來為了讀取速度 二來為了保持read margin好


寫：

SRAM寫的時候 BITLINE一邊為零 一邊為VDD，SRAM雖說是一個latch的架構，

但仍有寫入的先後順序，先寫零再寫一

靠著一邊為零 將一邊的margin打壞，另一邊的一趁這個機會破壞原本被latch的組態

此時耳朵MOS強，可以有效的打破這個margin 讓另一邊的一破壞latch

故這時考量的是latch的pmos與耳朵的nmos比例

會讓耳朵這個nmos比pmos大 讓寫入加速

從上面可以知道sram為比例式電路，又由於SRAM主要重點為讀取速度

因為讀是利用內部電容(或說mos)去拉bitline的大電容

寫則是利用外部大電容去推內部小電容

讀幾乎都比寫還慢 故sram會在可以的範圍內 加大latch nmos的比例以加速讀取

尺寸通常為latch nmos > access nmos > latch pmos 以上為DC分析

在暫態分析中，SRAM是否會發生成功讀取但是內部被反轉的現象，還要看你WL開的時間
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夜深了，胡言亂語中希望你看的懂

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