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第7卷第6期1986 年11月

本文用俄歇电子能谱仪(AES) 和X射线光电子能谱仪(XPS) 研究半绝缘多晶硅(STPOS) ... 见它们的相对强度在近表面处变化较大,在膜内部比较稳定,变化不大,而当到达SIPOS/.

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