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與IGBT的區別- SiC功率元件 - 電源設計技術資訊網站

2018年4月19日 — 請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由於IGBT有上升電壓，因此在低電流範圍MOSFET元件的 ...

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