sti淺溝槽,Process Integration,矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程和CVD氧化物溝槽之填充被接著發展. 出來. 6. STI: 襯墊氧化及LPCVD 氮化矽.
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