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STI 淺 溝 槽 絕緣
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晶圓製造新工藝新結構驅動刻蝕市場需求高企 - 壹讀
淺槽 隔離(STI)技術廣泛用於有源區域之間的絕緣結構的製作,其比LOCOS工藝擁有較佳的隔離特性。STI 結構的形成通常是先在半導體基底上沉積一層氮化矽 ...
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