... 介電層「間隙填充」(“gapfill”)製程可在導體和/或有效晶粒區域之間沉積關鍵的絕緣層。 ... 淺溝槽隔離(STI)沉積; 金屬前介電層(PMD)沉積; 層間介電層(ILD)沉積 ...
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