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STI 淺 溝 槽 絕緣
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http://etd.lib.nsysu.edu.tw/ETD-db/ETD-search/getfile?URN=etd-0731106-164424&filename=etd-0731106-164424.pdf
一新能克服自我加熱效應及浮體效應的多晶矽薄膜電晶體製作
此篇論文主要是利用淺溝槽絕緣技術( STI ),挖洞形成一大的深寬比,然後. 填入熱傳導係術佳的材料以解決自我加熱效應的問題,其截面圖顯示於Fig.
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