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STI 淺 溝 槽 絕緣
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浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响 - 电子与封装
随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米. ... 趋势进行了分析,通过改进伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM)模拟了STI对衬底电流的影响, ...
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